突破1 纳米制程瓶颈!IBM联合三星发布新工艺:垂直传输晶体管,密度、速度显著提高、功耗可降低85%

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发布时间: 2021-12-15 01:24

正文摘要:

据国外媒体报道,在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上 蓝色巨人IBM与韩国三星共同发布「垂直传输场效应晶体管」(VTFET) 芯片设计。将晶体管以垂直方式堆叠,并让电流也垂直流通,使晶体管数量密度再次提高,更大 ...

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匿名 发表于 2022-5-2 06:35:03