突破1 纳米制程瓶颈！IBM联合三星发布新工艺:垂直传输晶体管，密度、速度显著提高、功耗可降低85%

据国外媒体报道，在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上 蓝色巨人IBM与韩国三星共同发布「垂直传输场效应晶体管」(VTFET) 芯片设计。将晶体管以垂直方式堆叠，并让电流也垂直流通，使晶体管数量密度再次提高，更大幅提高电源使用效率，并突破1 纳米制程的瓶颈。相较传统将晶体管以水平放置，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，并让运算速度提升两倍，同时借电流垂直流通，使功耗在相同性能发挥下降低85%。IBM 和三星指出，此技术能在未来手机一次充电续航力就达一星期，可使某些耗能密集型任务如加密运算更省电，减少对环境的影响。不过IBM 与三星尚未透露何时开始将垂直传输场效应晶体管设计应用于产品，但是市场人士预估，短时间内会有进一步消息。

相对IBM 与三星技术成果发表，晶圆代工龙头台积电也在5 月宣布，与台湾大学、麻省理工学院共同研究，以铋金属特性突破1纳米制程极限，下探至1纳米以下。英特尔日前也公布制程发展布局，除了现有纳米级制程节点设计，接下来也会开始布局埃米等级制程，预计最快2024 年进入20A 制程节点。