分享

注册会员

  • 主题

    25

  • 帖子

    28

  • 粉丝

    0

热门版块
热门版块

突破1 纳米制程瓶颈!IBM联合三星发布新工艺:垂直传输晶体管,密度、速度显著提高、功耗可降低85%

据国外媒体报道,在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上 蓝色巨人IBM与韩国三星共同发布「垂直传输场效应晶体管」(VTFET) 芯片设计。将晶体管以垂直方式堆叠,并让电流也垂直流通,使晶体管数量密度再次提高,更大幅提高电源使用效率,并突破1 纳米制程的瓶颈。
相较传统将晶体管以水平放置,垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度,并让运算速度提升两倍,同时借电流垂直流通,使功耗在相同性能发挥下降低85%。
IBM 和三星指出,此技术能在未来手机一次充电续航力就达一星期,可使某些耗能密集型任务如加密运算更省电,减少对环境的影响。不过IBM 与三星尚未透露何时开始将垂直传输场效应晶体管设计应用于产品,但是市场人士预估,短时间内会有进一步消息。
?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2021%2F1214%2Ff8f02c8ej00r43bxr001qd200jf00idg00jf00id.webp

相对IBM 与三星技术成果发表,晶圆代工龙头台积电也在5 月宣布,与台湾大学、麻省理工学院共同研究,以铋金属特性突破1纳米制程极限,下探至1纳米以下。英特尔日前也公布制程发展布局,除了现有纳米级制程节点设计,接下来也会开始布局埃米等级制程,预计最快2024 年进入20A 制程节点。

回复

使用道具 举报

已有(1)人评论

跳转到指定楼层
匿名  发表于 2022-5-2 06:35:03
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则